本方向聚焦第三代半导体碳化硅（SiC）单晶制备，核心采用溶液顶部籽晶法开展晶体生长研究。系统探究金属助熔剂、生长气氛对 SiC 成核与晶格质量的调控规律，结合原位表征、热力学计算与分子动力学模拟明晰生长机理，为大尺寸、低缺陷 SiC 单晶低成本制备提供新方案，以支撑功率器件、射频芯片等第三代半导体产业发展。
